本試驗(yàn)不適用千在高溫或低溫條件下進(jìn)行。除另有規(guī)定或有理由相信高溫或低溫可增強(qiáng)彈道沖擊環(huán) 境外，一般在室溫條件下進(jìn)行彈道沖擊試驗(yàn)。

   對(duì)所有電子、機(jī)械和機(jī)電裝備產(chǎn)生不利的影響。不利影響的程度一般隨著彈道 沖擊的址級(jí)和持續(xù)時(shí)間增加而增大，并且隨著到彈道沖擊源（撞擊點(diǎn)或點(diǎn)陣）的距離增加而減小。當(dāng)彈道沖擊的待續(xù)時(shí)間使其產(chǎn)生的材料應(yīng)力波的波長(zhǎng)與裝備中微電子器件固有頻率的波長(zhǎng)一致時(shí)，會(huì)增強(qiáng)不利 影響。當(dāng)彈道沖擊的持續(xù)時(shí)間使其產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)響應(yīng)運(yùn)動(dòng)與機(jī)械或機(jī)電裝備的低頻共振一致時(shí)，會(huì)增強(qiáng)不 利影響。